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      SiC晶圓材料主要加工工藝

      文章出處:粉體圈網責任編輯:作者:小吉人氣:-發表時間:2022-08-13 15:29:00【

      碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能,廣泛應用于半導體、光學鏡面、機械密封等現代工業領域,許多領域往往對其表面加工質量有較高的要求,SiC的表面平坦化質量直接影響制件性能,決定了制件的成品率。隨著SiC的應用和發展逐步廣泛和深入,其加工精度要求日益增長。但SiC屬于典型的脆硬性材料,其平坦化加工時在力的作用下易產生微裂紋,亞表層缺陷多,使得該材料面臨加工效率低、加工困難及加工成本居高不下等問題,制約了其大規模應用和推廣。

      目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序:定向切割、晶片粗磨、精研磨、機械拋光和化學機械拋光(精拋)。其中化學機械拋光作為最終工序,其工藝方法選擇、工藝路線排布和工藝參數優化直接影響拋光效率和加工成本。傳統化學機械拋光按照磨料存在狀態可分為游離磨料拋光和固結磨料拋光。

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