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      金蒙新材料

      金蒙新材料
      國家高新技術企業
      服務熱線:
      4001149319
      20年碳化硅研發與生產經驗
      碳化硅、碳化硅微粉金蒙4大支持
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      碳化硅生產研發經驗,實力見證品牌

      20年碳化硅生產,經驗豐富

      公司占地面積260多畝,擁有員工近200人,有強大技術研發實力

      金蒙正與國內多所對口高校和科研機構聯合,走“雙高”(高新技術、高附加值)雙贏循環發展之路

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      擁有生產技術,世界檢測設備

      國內碳化硅微粉生產線和工藝技術,自動化程度高,產品科技含量高。

      公司建有質量檢測中心,配備了檢測設備,確保金蒙新材料產品引領市場。

      金蒙公司年產碳化硅微粉20000噸,高品質耐火材料用碳化硅3500噸,碳化硅砂5000噸,金蒙新材料產品種類齊全,更能滿足客戶需求。

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      通過多項國際質量管理體系認證,產品全程受控

      產品質量嚴格按照日本工業標準(JIS)、歐洲標準(FEPA)、中國國標或客戶特殊要求組織生產

      金蒙核心產品遠銷美、日、韓及東南亞等多個國家和地區,在國內外市場上享有較高聲譽。

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      售后服務團隊,提供全程跟蹤服務

      擁有高效銷售團隊,公司實行現代化企業管理模式,更方便、更快捷的為客戶提供全程跟蹤服務。

      綠碳化硅微粉
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      金蒙新材料

      山東金蒙新材料股份有限公司始建于2003年,位于山東省臨沭縣泰安路中段,占地面積260多畝。企業擁有員工近200人,其中:大中專畢業生32人,專業技術人員8人(高級職稱2人,中級職稱6人)。金蒙新材料公司是以生產碳化硅微粉為主的高新技術企業,擁有完善的碳化硅微粉生產線和工藝技術。金蒙建有質量檢測中心,配備了專業的檢測設備。年產碳化硅微粉20000噸,高品質耐火材料用碳化硅3500噸,碳化硅砂5000噸,產品質量嚴格按照日本工業標準(JIS)、歐洲標準...

      品牌文化售后服務了解詳情
      國內碳化硅功率器件離正式量...
      碳化硅生產過程主要包括碳化硅單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟,對應的是碳化硅產業鏈襯底、外...
      國內碳化硅外延的難點
      當前外延主要以4英寸及6英寸為主,大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯...
      國內碳化硅襯底的難點
      當前,國內廠商碳化硅襯底生產的技術指標與國際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸...
      碳化硅功率器件的性能優勢
      碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料,基于其優良的特性,碳化硅襯底的使用極限性能優于硅襯...
      三種生長SiC單晶用SiC粉體制...
      生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高,其中雜質含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中,氣相法通...
      碳化硅晶圓生產用高純碳化硅...
      生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高,其中雜質含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中,氣相法通...
      碳化硅粉在碳化硅晶圓生產中...
      碳化硅晶圓的生產,是先要制備碳化硅襯底,目前其制備多采用改進Lely法、高溫CVD法和溶液法,其中以改進...
      碳化硅功率器件的多功能集成...
      碳化硅器件的出現推動了電力電子朝著小型化的方向發展,其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較...
      碳化硅功率器件的高溫封裝技...
      在進行芯片正面連接時可用銅線替代鋁線,消除鍵合線與DBC銅層之間的熱膨脹系數差異,極大地提高模塊工作...
      碳化硅功率器件的低雜散電感...
      目前已有的大部分商用SiC器件仍采用傳統Si器件的封裝方式。傳統封裝技術成熟,成本低,而且可兼容和替代...
      什么是SiCf/SiC復合材料
      SiCf/SiC陶瓷基復合材料是指在SiC陶瓷基體中引入SiC纖維作為增強材料,形成以引入的SiC增強纖維為分散相...
      C/SiC陶瓷基復合材料應用
      碳纖維不僅具有密度低、比強度高、耐磨、耐腐蝕、導電、導熱、摩擦系數低等特性,而且還具備十分優異的...
      SiC晶圓材料主要加工工藝
      碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能,廣泛應用于半導體...
      Al2O3-SiC-C澆注料中碳氧化的...
      高爐煉鐵是鋼鐵工業普遍采用的煉鐵工藝流程。在相當長時間內,高爐煉鐵仍將是煉鐵工藝的首*選。高爐出鐵...
      碳化硅器件被譽為帶動“新能...
      2018年,特斯拉在Model3電驅主逆變器上,率先采用了意法半導體供應的650VSiCMOSFET器件,碳化硅器件開始...
      SiC“上車”到底用在電動汽車...
      SiC器件具備的卓越性能,使其成為HEV電力驅動裝置中的理想器件,可以顯著減小電力電子驅動系統的體積、...
      碳化硅陶瓷精密結構部件制備...
      采用碳化硅作為光刻機等集成電路關鍵裝備用精密結構件材料具有極大的優勢。但是傳統的陶瓷制備工藝如注...
      碳化硅陶瓷結構件在光刻機中...
      集成電路制造關鍵技術及裝備主要有包括光刻技術及光刻裝備、薄膜生長技術及裝備、化學機械拋光技術及裝...
      光刻機精密部件的主選材料--...
      碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度,不易變形,并且具有較高的導熱系數和低的熱膨脹系數,熱穩定性高...
      碳化硅陶瓷換熱器設計時要注...
      碳化硅具有很高的導熱系數,同時其化學性能穩定、熱膨脹系數小、耐磨性能好,并具有優異的抗熱震性。所...
      黑碳化硅微粉
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