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      時代電氣:奮力邁進SiC自主研發道路,高壓電驅平臺突破

      文章出處:慧博資訊網責任編輯:作者:daw人氣:-發表時間:2022-10-08 14:52:00【

      據慧博資訊公眾號介紹:時代電器公司建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產業化基地,掌握了具有核心自主知識產權的MOSFET芯片及SBD芯片的設計與制造技術,構建了全套特色先進碳化硅工藝技術的4英寸及6英寸兼容的專業碳化硅芯片制造平臺,全電壓等級MOSFET及SBD芯片產品可應用于新能源汽車、軌道交通、工業傳動等多個領域。2021年,該公司推出碳化硅大功率電驅平臺C-Power220;2022年4月,公司實施碳化硅芯片生產線技術能力提升建設項目,總投資4.62億元,將公司平面柵碳化硅MOSFET芯片技術能力提升至溝槽柵碳化硅MOSFET芯片研發能力,現有4英寸碳化硅芯片線提升至6英寸碳化硅芯片線,產能也將從1萬片/年的提升到2.5萬片/年。

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